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一种水基流延成型制备致密氮化硅陶瓷材料及致密异形氮化硅陶瓷材料的方法
专利
专利摘要: 一种水基流延成型制备致密氮化硅陶瓷材料及致密异形氮化硅陶瓷材料的方法,它涉及一种制备氮化硅陶瓷材料的方法。本发明的目的是要解决现有制备致密氮化硅陶瓷材料的方法成本高,烧结块体积小,后续加工困难,致密度低,强度差和制备致密异形氮化硅陶瓷材料致密度低和强度差的问题。致密氮化硅陶瓷材料的方法的制备方法一、添加烧结助剂;二、制备浆料;三、制备氮化硅陶瓷生带;四、制备排胶后的氮化硅基板生坯;五、烧结。致密异形氮化硅陶瓷材料的制备方法一、添加烧结助剂;二、制备浆料;三、制备氮化硅陶瓷生带;四、制备排胶后的异形氮化硅材料生坯;五、烧结。本发明可获得致密氮化硅陶瓷材料和致密异形氮化硅陶瓷材料。 -
一种水基流延成型制备mas系微晶玻璃电子基板的方法
专利
专利摘要: 一种水基流延成型制备MAS系微晶玻璃电子基板的方法,它涉及一种制备MAS系微晶玻璃电子基板的方法。本发明要解决现有制备MAS系微晶玻璃电子基板的方法中有机溶剂的使用对人体和环境有危害、生产过程存在安全隐患、生产成本较高及数据传输过程中信号接收慢的问题。本发明方法一、制备MAS系玻璃粉体;二、MAS水基浆料的制备;三、制备玻璃生带;四、制备基板材料生坯;五、烧结。本发明方法降低对人体和环境的危害,降低生产过程中的安全隐患,成本低,解决了数据传输过程中信号接收慢的问题。本发明用于MAS系微晶玻璃电子基板的制备。 -
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一种水基转炉大面修补料及其使用方法
专利
专利摘要: 本发明公开一种水基转炉大面修补料及其使用方法。所述修补料由甲、乙两组份组成:甲组份是以40~65wt%镁砂颗粒、10~20wt%镁橄榄石颗粒、15~25wt%镁砂细粉、5~15wt%氧化镁微粉、2~5wt%碳化硅微粉、1~3wt%熔融石英细粉、0.5~2wt%石英细粉、0.5~2wt%硅微粉、0.2~1.5wt%纯铝酸钙水泥和0.5~2.5wt%α-Al2O3微粉为原料,外加所述原料0.05~0.15wt%有机纤维、0.05~0.15wt%硝酸盐和0.05~0.1wt%聚羧酸减水剂,混合。乙组份是将亲水改性有机硅和水按质量比为1︰(8~10)混合。使用时,将甲、乙组份按质量比1︰(0.06~0.12)配料,搅拌至流塑状,装入料斗投入转炉炉内,迅速摇动炉体。本发明具有自流性好、烧结时间短、耐炉渣侵蚀、寿命长和环境友好的特点。
胡娟
金牌知产顾问
215463210
全国服务热线:
400-850-8810
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